| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
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SI4943CDY-T1-GE3 |
Vishay Siliconix | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 2500 | 询价QQ： |
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| 简述：MOSFET P-CH DUAL 20V 8A 8-SOIC 参考包装数量：2500 参考包装形式：带卷 (TR) |
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| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
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| SI4944DY-T1-E3 | Vishay Siliconix | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 22500 | MOSFET N-CH DUAL 30V 9.3A 8-SOIC | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... |
| SI4944DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET N-CH DUAL 30V 8-SOIC | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | |
| SI4946BEY-T1-E3 | Vishay Siliconix | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 20000 | MOSFET N-CH DUAL 60V 6.5A 8-SOIC | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... |
| SI4943CDY-T1-E3 | Vishay Siliconix | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET P-CH D-S 20V 8-SOIC | FET 型：2 个 P 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | |
| SI4943BDY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET P-CH D-S 20V 8-SOIC | FET 型：2 个 P 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | |
| SI4943BDY-T1-E3 | Vishay Siliconix | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 5000 | MOSFET P-CH DUAL 20V 6.3A 8-SOIC | FET 型：2 个 P 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... |
