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首页 > 分离式半导体产品 > FET - 阵列 > SI4913DY-T1-E3
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SI4913DY-T1-E3

Vishay Siliconix 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 12500 闂傚倸鍊搁崐鎼佸磹閻戣姤鍊块柨鏇楀亾妞ゎ亜鍟村畷褰掝敋閸涱垰鏁搁梻渚€鈧偛鑻晶鎵磼鏉堛劌娴鐐存崌楠炴帒鈹戦崼婵囧€梻鍌欐祰椤曟牠宕归鐐村€块柨鏂垮⒔閻鏌熼悜妯荤厸闁稿鎹囬弫鎰償閳ヨ尙鍑规繝鐢靛仜閹冲繘鎮ч悩宸綎闁惧繗顫夊畷澶愭煏婵炲灝鍔滈柣婵勫灲濮婃椽鎮烽弶鎸庮唨闂佺懓鍤栭幏锟�0755-83217923
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简述:MOSFET P-CH DUAL 20V 7.1A 8-SOIC
参考包装数量:2500
参考包装形式:带卷 (TR)

与SI4913DY-T1-E3相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
SI4913DY-T1-GE3 Vishay Siliconix 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 2500 MOSFET P-CH D-S 20V 8-SOIC FET 型:2 个 P 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V...
SI4914BDY-T1-E3 Vishay Siliconix 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET N-CH 30V 8-SOIC FET 型:2 个 N 沟道(双) FET 特点:标准 漏极至源极电压(Vdss...
SI4914BDY-T1-GE3 Vishay Siliconix 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 2500 MOSFET N-CH 30V 8-SOIC FET 型:2 个 N 沟道(双) FET 特点:标准 漏极至源极电压(Vdss...
SI4910DY-T1-GE3 Vishay Siliconix 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 2500 MOSFET N-CH D-S 40V 8-SOIC FET 型:2 个 N 沟道(双) FET 特点:标准 漏极至源极电压(Vdss...
SI4910DY-T1-E3 Vishay Siliconix 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET N-CH DUAL 40V 7.6A 8-SOIC FET 型:2 个 N 沟道(双) FET 特点:标准 漏极至源极电压(Vdss...
SI4908DY-T1-GE3 Vishay Siliconix 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET N-CH DUAL 40V 5A 8-SOIC FET 型:2 个 N 沟道(双) FET 特点:标准 漏极至源极电压(Vdss...

SI4913DY-T1-E3参数资料

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FET 型:2 个 P 沟道(双)
FET 特点:逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss):20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:7.1A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:15 毫欧 @ 9.4A,4.5V
Id 时的 Vgs(th)(最大):1V @ 500µA
闸电荷(Qg) @ Vgs:65nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds:-
功率 - 最大:1.1W
安装类型:表面贴装

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