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首页 > 分离式半导体产品 > FET - 阵列 > SI4913DY-T1-E3
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SI4913DY-T1-E3

Vishay Siliconix 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 12500 闂傚倸鍊烽悞锕€顪冮崹顕呯唵闁逞屽墰缁辨帡骞撻幒婵堝悑闂佽鍨悞锔剧矉閹烘柡鍋撻敐搴′簼婵炲懏鐗犲铏规崉閵娿儲鐝㈤梺鐟板殩閹凤拷0755-83217923
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简述:MOSFET P-CH DUAL 20V 7.1A 8-SOIC
参考包装数量:2500
参考包装形式:带卷 (TR)

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型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
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SI4914BDY-T1-GE3 Vishay Siliconix 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 2500 MOSFET N-CH 30V 8-SOIC FET 型:2 个 N 沟道(双) FET 特点:标准 漏极至源极电压(Vdss...
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SI4913DY-T1-E3参数资料

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FET 型:2 个 P 沟道(双)
FET 特点:逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss):20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:7.1A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:15 毫欧 @ 9.4A,4.5V
Id 时的 Vgs(th)(最大):1V @ 500µA
闸电荷(Qg) @ Vgs:65nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds:-
功率 - 最大:1.1W
安装类型:表面贴装

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