| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
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SI4563DY-T1-GE3 |
Vishay Siliconix | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 询价QQ： |
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| 简述：MOSFET N/P-CH 40V 8-SOIC 参考包装数量：2500 参考包装形式：带卷 (TR) |
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| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
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| SI4564DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET N/P-CH 40V 10A/9.2A 8SOIC | FET 型：N 和 P 沟道 FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss... | |
| SI4565ADY-T1-E3 | Vishay Siliconix | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET N/P-CH 40V 8-SOIC | FET 型：N 和 P 沟道 FET 特点：标准 漏极至源极电压(Vdss)：4... | |
| SI4565ADY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET N/P-CH 40V 8-SOIC | FET 型：N 和 P 沟道 FET 特点：标准 漏极至源极电压(Vdss)：4... | |
| SI4563DY-T1-E3 | Vishay Siliconix | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 5500 | MOSFET N/P-CH 40V 8-SOIC | FET 型：N 和 P 沟道 FET 特点：标准 漏极至源极电压(Vdss)：4... |
| SI4562DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET N/P-CH 20V 8-SOIC | FET 型：N 和 P 沟道 FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss... | |
| SI4562DY-T1-E3 | Vishay Siliconix | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET N/P-CH 20V 8-SOIC | FET 型：N 和 P 沟道 FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss... |
