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SI2333DS-T1-GE3

Vishay Siliconix TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
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简述:MOSFET P-CH 12V SOT23-3
参考包装数量:3000
参考包装形式:带卷 (TR)

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型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
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SI2333DS-T1-GE3参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):12V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):4.1A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):32 毫欧 @ 5.3A,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):18nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):1100pF @ 6V
功率 - 最大值:750mW
安装类型:表面贴装

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