| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
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SI2333DS-T1-GE3 |
Vishay Siliconix | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | 询价QQ： |
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| 简述：MOSFET P-CH 12V SOT23-3 参考包装数量：3000 参考包装形式：带卷 (TR) |
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| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
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| SI2334DS-T1-GE3 | Vishay Siliconix | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | 3000 | MOSFET N-CH 30V SOT-23 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... |
| SI2335DS-T1-E3 | Vishay Siliconix | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | MOSFET P-CH SOT23 | FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | |
| SI2335DS-T1-GE3 | Vishay Siliconix | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | MOSFET P-CH 12V 3.2A SOT23-3 | FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | |
| SI2333DS-T1-E3 | Vishay Siliconix | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | 24000 | MOSFET P-CH 12V 4.1A SOT23-3 | FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... |
| SI2333CDS-T1-GE3 | Vishay Siliconix | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | 6000 | MOSFET P-CH D-S 12V SOT-23 | FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... |
| SI2333CDS-T1-E3 | Vishay Siliconix | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | 21064 | MOSFET P-CH 12V 7.1A SOT23-3 | FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... |
