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SI2333CDS-T1-E3

Vishay Siliconix TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 21064
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简述:MOSFET P-CH 12V 7.1A SOT23-3
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与SI2333CDS-T1-E3相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
SI2333CDS-T1-GE3 Vishay Siliconix TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 6000 MOSFET P-CH D-S 12V SOT-23 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
SI2333DS-T1-E3 Vishay Siliconix TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 24000 MOSFET P-CH 12V 4.1A SOT23-3 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
SI2333DS-T1-GE3 Vishay Siliconix TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 MOSFET P-CH 12V SOT23-3 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
SI2331DS-T1-GE3 Vishay Siliconix TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 MOSFET P-CH 12V SOT23-3 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
SI2331DS-T1-E3 Vishay Siliconix TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 MOSFET P-CH 12V SOT23-3 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
SI2328DS-T1-GE3 Vishay Siliconix TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 3000 MOSFET N-CH D-S 100V SOT-23 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...

SI2333CDS-T1-E3参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):12V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):7.1A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):35 毫欧 @ 5.1A,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):25nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):1225pF @ 6V
功率 - 最大值:2.5W
安装类型:表面贴装

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