收藏本站

首页 > 分离式半导体产品 > FET - 单 > SI1305DL-T1-E3
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

SI1305DL-T1-E3

Vishay Siliconix SC-70,SOT-323 6000
询价QQ:
简述:MOSFET P-CH 8V 860MA SOT323-3
参考包装数量:3000
参考包装形式:带卷 (TR)

与SI1305DL-T1-E3相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
SI1305DL-T1-GE3 Vishay Siliconix SC-70,SOT-323 MOSFET P-CH G-S 8V SC-70-3 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
SI1305EDL-T1-E3 Vishay Siliconix SC-70,SOT-323 MOSFET P-CH 8V 860MA SOT323-3 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
SI1305EDL-T1-GE3 Vishay Siliconix SC-70,SOT-323 MOSFET P-CH 8V 860MA SOT323-3 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
SI1304BDL-T1-GE3 Vishay Siliconix SC-70,SOT-323 3000 MOSFET N-CH D-S 30V SC-70-3 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
SI1304BDL-T1-E3 Vishay Siliconix SC-70,SOT-323 46716 MOSFET N-CH 30V 900MA SOT323-3 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
SI1303EDL-T1-E3 Vishay Siliconix SC-70,SOT-323 MOSFET P-CH 20V 670MA SOT323-3 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...

SI1305DL-T1-E3参数资料

PDF资料下载:

FET 型:MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 特点:逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss):8V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:860mA
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:280 毫欧 @ 1A,4.5V
Id 时的 Vgs(th)(最大):450mV @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs:4nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds:-
功率 - 最大:290mW
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别