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首页 > 分离式半导体产品 > IGBT - 单路 > SGP30N60
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SGP30N60

Infineon Technologies TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB 闂傚倷鐒﹀鍨熆閳ь剛绱掗幓鎺濈吋闁诡垯鐒︾粋鎺斺偓锝庡亝濞呮牠姊虹捄銊ユ珢闁瑰嚖鎷�0755-83217923
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简述:IGBT 600V 30A TO-263
参考包装数量:50
参考包装形式:管件

与SGP30N60相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
SGP30N60HS Infineon Technologies TO-220-3 IGBT NPT 600V 41A 250W TO220-3 IGBT 类型:NPT 电压 - 集电极发射极击穿(最大):600V Vge, ...
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SGP400TZ Fairchild Semiconductor SOT-23-6 细型,TSOT-23-6 IC CTRLR PWM GREEN CM OTP SSOT6 输出隔离:隔离 频率范围:62kHz ~ 68kHz 输入电压:8 V ~ 30...
SGP23N60UFTU Fairchild Semiconductor TO-220-3 949 IGBT W/DIODE 600V TO-220-3 IGBT 类型:- 电压 - 集电极发射极击穿(最大):600V Vge, Ic...
SGP23N60UFDTU Fairchild Semiconductor TO-220-3 IGBT W/DIODE 600V TO-220 IGBT 类型:- 电压 - 集电极发射极击穿(最大):600V Vge, Ic...
SGP20N60HS Infineon Technologies TO-220-3 IGBT 600V 20A 178W TO220-3 IGBT 类型:NPT 电压 - 集电极发射极击穿(最大):600V Vge, ...

SGP30N60参数资料

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IGBT 类型:NPT
电压 - 集电极发射极击穿(最大):600V
Vge, Ic时的最大Vce(开):2.4V @ 15V,30A
电流 - 集电极 (Ic)(最大):41A
功率 - 最大:250W
输入类型:标准
安装类型:通孔

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