收藏本站

首页 > 分离式半导体产品 > IGBT - 单路 > SGH23N60UFDTU
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

SGH23N60UFDTU

Fairchild Semiconductor TO-3P-3,SC-65-3
询价QQ:
简述:IGBT HI PERFORM 600V 12A TO-3P
参考包装数量:30
参考包装形式:管件

与SGH23N60UFDTU相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
SGH30N60RUFDTU Fairchild Semiconductor TO-3P-3,SC-65-3 0+900 IGBT SHORT CIRC 600V 30A TO-3P IGBT 类型:- 电压 - 集电极发射极击穿(最大):600V Vge, Ic...
SGH30N60RUFTU Fairchild Semiconductor TO-3P-3,SC-65-3 IGBT SHORT CIRC 600V 30A TO-3P IGBT 类型:- 电压 - 集电极发射极击穿(最大):600V Vge, Ic...
SGH40N60UFDM1TU Fairchild Semiconductor TO-3P-3,SC-65-3 IGBT HI PERFORM 600V 20A TO-3P IGBT 类型:- 电压 - 集电极发射极击穿(最大):600V Vge, Ic...
SGH20N60RUFDTU Fairchild Semiconductor TO-3P-3,SC-65-3 0+450 IGBT SHORT CIRC 600V 20A TO-3P IGBT 类型:- 电压 - 集电极发射极击穿(最大):600V Vge, Ic...
SGH15N60RUFTU Fairchild Semiconductor TO-3P-3,SC-65-3 IGBT SHORT CIRC 600V 15A TO-3P IGBT 类型:- 电压 - 集电极发射极击穿(最大):600V Vge, Ic...
SGH15N60RUFDTU Fairchild Semiconductor TO-3P-3,SC-65-3 IGBT SHORT CIRC 600V 15A TO-3P IGBT 类型:- 电压 - 集电极发射极击穿(最大):600V Vge, Ic...

SGH23N60UFDTU参数资料

PDF资料下载:

IGBT 类型:-
电压 - 集电极发射极击穿(最大):600V
Vge, Ic时的最大Vce(开):2.6V @ 15V,12A
电流 - 集电极 (Ic)(最大):23A
功率 - 最大:100W
输入类型:标准
安装类型:通孔

最近更新

型号类别