| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
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RDE5C1H102J0K1C03B |
Murata Electronics North America | 径向 | 询价QQ： |
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| 简述：CAP CER 1000PF 50V 5% RADIAL 参考包装数量：500 参考包装形式：散装 |
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| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
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| RDE5C1H121J0K1C03B | Murata Electronics North America | 径向 | CAP CER 120PF 50V 5% RADIAL | 电容：120pF 电压 - 额定：50V 容差：±5% 温度系数：... | |
| RDE5C1H151J0K1C03B | Murata Electronics North America | 径向 | CAP CER 150PF 50V 5% RADIAL | 电容：150pF 电压 - 额定：50V 容差：±5% 温度系数：... | |
| RDE5C1H181J0K1C03B | Murata Electronics North America | 径向 | CAP CER 180PF 50V 5% RADIAL | 电容：180pF 电压 - 额定：50V 容差：±5% 温度系数：... | |
| RDE5C1H101J0K1C03B | Murata Electronics North America | 径向 | CAP CER 100PF 50V 5% RADIAL | 电容：100pF 电压 - 额定：50V 容差：±5% 温度系数：... | |
| RDD050N20TL | Rohm Semiconductor | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 | 3792 | MOSFET N-CH 200V 5A CPT3 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... |
| RDD020N60TL | Rohm Semiconductor | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 | MOSFET N-CH 600V 2A CPT3 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... |
