收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > RDD050N20TL
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

RDD050N20TL

Rohm Semiconductor TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 3792
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 200V 5A CPT3
参考包装数量:1
参考包装形式:剪切带 (CT)

与RDD050N20TL相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
RDE5C1H101J0K1C03B Murata Electronics North America 径向 CAP CER 100PF 50V 5% RADIAL 电容:100pF 电压 - 额定:50V 容差:±5% 温度系数:...
RDE5C1H102J0K1C03B Murata Electronics North America 径向 CAP CER 1000PF 50V 5% RADIAL 电容:1000pF 电压 - 额定:50V 容差:±5% 温度系数...
RDE5C1H121J0K1C03B Murata Electronics North America 径向 CAP CER 120PF 50V 5% RADIAL 电容:120pF 电压 - 额定:50V 容差:±5% 温度系数:...
RDD020N60TL Rohm Semiconductor TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 MOSFET N-CH 600V 2A CPT3 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
RDC-800-130 Richco Plastic Co CARD GUIDE DEEP CHAN 8" .132" ...
RDC-800-102 Richco Plastic Co CARD GUIDE DEEP CHAN 8" .102" ...

RDD050N20TL参数资料


FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):200V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):5A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):720 毫欧 @ 2.5A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):9.3nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):292pF @ 10V
功率 - 最大值:20W
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别