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PMR670UPE,115

NXP Semiconductors SC-75,SOT-416
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简述:MOSFET P-CH 20V 480MA SC-75
参考包装数量:3000
参考包装形式:带卷 (TR)

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型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
PMR780SN,115 NXP Semiconductors SC-75,SOT-416 MOSFET N-CH 60V 0.55A SOT416 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
PMR-8088 Bud Industries 0+24 ADJUSTABLE MOUNT RAIL 75.25"PAIR ...
PMR-9448 Bud Industries 0+19 RAILS PANEL MOUNTING 21" 1 PAIR ...
PMR50HZPJV4L0 Rohm Semiconductor 2010(5025 公制) 4000 RES .004 OHM 1W 5% 2010 SMD 电阻(欧姆):0.004 功率(瓦特):1W 复合体:厚膜 特点:电流检测 温度...
PMR50HZPJV3L0 Rohm Semiconductor 2010(5025 公制) 2000 RES .003 OHM 1W 5% 2010 SMD 电阻(欧姆):0.003 功率(瓦特):1W 复合体:厚膜 特点:电流检测 温度...
PMR50HZPJV2L0 Rohm Semiconductor 2010(5025 公制) 2000 RES .002 OHM 1W 5% 2010 SMD 电阻(欧姆):0.002 功率(瓦特):1W 复合体:厚膜 特点:电流检测 温度...

PMR670UPE,115参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):20V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):480mA
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):850 毫欧 @ 400mA,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.3V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):1.14nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):87pF @ 10V
功率 - 最大值:250mW
安装类型:表面贴装

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