收藏本站

首页 > 电阻器 > 芯片电阻 - 表面安装 > PMR50HZPJV3L0
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

PMR50HZPJV3L0

Rohm Semiconductor 2010(5025 公制) 2000
询价QQ:
简述:RES .003 OHM 1W 5% 2010 SMD
参考包装数量:2000
参考包装形式:带卷 (TR)

与PMR50HZPJV3L0相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
PMR50HZPJV4L0 Rohm Semiconductor 2010(5025 公制) 4000 RES .004 OHM 1W 5% 2010 SMD 电阻(欧姆):0.004 功率(瓦特):1W 复合体:厚膜 特点:电流检测 温度...
PMR670UPE,115 NXP Semiconductors SC-75,SOT-416 MOSFET P-CH 20V 480MA SC-75 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
PMR780SN,115 NXP Semiconductors SC-75,SOT-416 MOSFET N-CH 60V 0.55A SOT416 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
PMR50HZPJV2L0 Rohm Semiconductor 2010(5025 公制) 2000 RES .002 OHM 1W 5% 2010 SMD 电阻(欧姆):0.002 功率(瓦特):1W 复合体:厚膜 特点:电流检测 温度...
PMR50HZPJV1L0 Rohm Semiconductor 2010(5025 公制) 2594 RES .001 OHM 1W 5% 2010 SMD 电阻(欧姆):0.001 功率(瓦特):1W 复合体:厚膜 特点:电流检测 温度...
PMR50HZPJU9L0 Rohm Semiconductor 2010(5025 公制) 2000 RES .009 OHM 1W 5% 2010 SMD 电阻(欧姆):0.009 功率(瓦特):1W 复合体:厚膜 特点:电流检测 温度...

PMR50HZPJV3L0参数资料

PDF资料下载:
PDF资料下载:

电阻(欧姆):0.003
功率(瓦特):1W
复合体:厚膜
特点:电流检测
温度系数:±100ppm/°C
容差:±5%

最近更新

型号类别