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首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > PMN35EN,115
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PMN35EN,115

NXP Semiconductors SC-74,SOT-457 闂傚倸鍊搁崐鐑芥倿閿曗偓椤啴宕归鍛數闂侀€炲苯澧扮紒杈ㄥ浮楠炴捇骞掑┑鍫濇倯闂備浇顕栭崹顖炴倿閿斿墽鐭夐柟鐑樻煛閸嬫捇鏁愭惔鈥茬凹濠电偛鎳忛悧鐘差潖閾忚宕夐柕濞垮劜閻濄垽姊洪悷鏉挎闁瑰嚖鎷�0755-83217923
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简述:MOSFET N-CH 30V 6TSOP
参考包装数量:3000
参考包装形式:带卷 (TR)

与PMN35EN,115相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
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PMN35EN,115参数资料

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FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):30V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):5.1A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):31 毫欧 @ 5.1A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):9.3nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):334pF @ 15V
功率 - 最大值:500mW
安装类型:表面贴装

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