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PMN34LN,135

NXP Semiconductors SC-74,SOT-457
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简述:MOSFET N-CH 20V 5.7A 6TSOP
参考包装数量:10000
参考包装形式:带卷 (TR)

与PMN34LN,135相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
PMN34UN,135 NXP Semiconductors SC-74,SOT-457 10000 MOSFET N-CH 30V 4.9A 6TSOP FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
PMN34UP,115 NXP Semiconductors SC-74,SOT-457 MOSFET P-CH 20V 6TSOP FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
PMN35EN,115 NXP Semiconductors SC-74,SOT-457 MOSFET N-CH 30V 6TSOP FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
PMN28UN,165 NXP Semiconductors SC-74,SOT-457 MOSFET N-CH 12V 5.7A 6TSOP FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
PMN28UN,135 NXP Semiconductors SC-74,SOT-457 MOSFET N-CH 12V 5.7A 6TSOP FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
PMN27XPE,115 NXP Semiconductors MOSFET P-CH SINGLE 20V SC-74 ...

PMN34LN,135参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):20V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):5.7A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):34 毫欧 @ 2.5A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):13.1nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):500pF @ 20V
功率 - 最大值:1.75W
安装类型:表面贴装

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