收藏本站

首页 > 电阻器 > 芯片电阻 - 表面安装 > PHT1206Y1004BGT200
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

PHT1206Y1004BGT200

Vishay Sfernice 1206(3016 公制) 800
询价QQ:
简述:RES 1.0M OHM 33MW 0.1% 1206
参考包装数量:200
参考包装形式:带卷 (TR)

与PHT1206Y1004BGT200相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
PHT2010E10R0DGT200 Vishay Sfernice 2010(5125 公制) 200 RES 10 OHM 100MW 0.5% 2010 电阻(欧姆):10 功率(瓦特):0.1W,1/10W 复合体:薄膜 特点:- ...
PHT2010Y1000BGT200 Vishay Sfernice 2010(5125 公制) 200 RES 100 OHM 100MW 0.1% 2010 电阻(欧姆):100 功率(瓦特):0.1W,1/10W 复合体:薄膜 特点:-...
PHT2010Y1001BGT200 Vishay Sfernice 2010(5125 公制) 200 RES 1.0K OHM 100MW 0.1% 2010 电阻(欧姆):1k 功率(瓦特):0.1W,1/10W 复合体:薄膜 特点:- ...
PHT1206Y1003BGT200 Vishay Sfernice 1206(3016 公制) 600 RES 100K OHM 33MW 0.1% 1206 电阻(欧姆):100k 功率(瓦特):0.03W,1/32W 复合体:薄膜 特点...
PHT1206Y1002BGT200 Vishay Sfernice 1206(3016 公制) 600 RES 10K OHM 33MW 0.1% 1206 电阻(欧姆):10k 功率(瓦特):0.03W,1/32W 复合体:薄膜 特点:...
PHT1206Y1001BGT200 Vishay Sfernice 1206(3016 公制) 200 RES 1.0K OHM 33MW 0.1% 1206 电阻(欧姆):1k 功率(瓦特):0.03W,1/32W 复合体:薄膜 特点:-...

PHT1206Y1004BGT200参数资料

PDF资料下载:

电阻(欧姆):1M
功率(瓦特):0.03W,1/32W
复合体:薄膜
特点:-
温度系数:±25ppm/°C
容差:±0.1%

最近更新

型号类别