| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
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PHT1206Y1002BGT200 |
Vishay Sfernice | 1206（3016 公制） | 600 | 询价QQ： |
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| 简述：RES 10K OHM 33MW 0.1% 1206 参考包装数量：200 参考包装形式：带卷 (TR) |
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| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
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| PHT1206Y1003BGT200 | Vishay Sfernice | 1206（3016 公制） | 600 | RES 100K OHM 33MW 0.1% 1206 | 电阻（欧姆）：100k 功率（瓦特）：0.03W，1/32W 复合体：薄膜 特点... |
| PHT1206Y1004BGT200 | Vishay Sfernice | 1206（3016 公制） | 800 | RES 1.0M OHM 33MW 0.1% 1206 | 电阻（欧姆）：1M 功率（瓦特）：0.03W，1/32W 复合体：薄膜 特点：-... |
| PHT2010E10R0DGT200 | Vishay Sfernice | 2010（5125 公制） | 200 | RES 10 OHM 100MW 0.5% 2010 | 电阻（欧姆）：10 功率（瓦特）：0.1W，1/10W 复合体：薄膜 特点：- ... |
| PHT1206Y1001BGT200 | Vishay Sfernice | 1206（3016 公制） | 200 | RES 1.0K OHM 33MW 0.1% 1206 | 电阻（欧姆）：1k 功率（瓦特）：0.03W，1/32W 复合体：薄膜 特点：-... |
| PHT1206Y1000BGT200 | Vishay Sfernice | 1206（3016 公制） | RES 100 OHM 33MW 0.1% 1206 | 电阻（欧姆）：100 功率（瓦特）：0.03W，1/32W 复合体：薄膜 特点：... | |
| PHT11N06LT,135 | NXP Semiconductors | TO-261-4，TO-261AA | MOSFET N-CH 55V 10.7A SOT223 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... |
