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PBSS4350SPN,115

NXP Semiconductors 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 2000
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简述:TRANS NPN/PNP W/RES 50V 8SOIC
参考包装数量:1000
参考包装形式:带卷 (TR)

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型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
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PBSS4350SPN,115参数资料

PDF资料下载:

晶体管类型:NPN,PNP
电流 - 集电极 (Ic)(最大):2.7A
电压 - 集电极发射极击穿(最大):50V
Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):340mV @ 270mA,2.7A / 370mV @ 270mA,2.7A
电流 - 集电极截止(最大):100nA
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):300 @ 1A,2V / 180 @ 1A,2V
功率 - 最大:750mW
频率 - 转换:-
安装类型:表面贴装

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