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PBSS4350S,126

NXP Semiconductors TO-226-3、TO-92-3(TO-226AA)成形引线
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简述:TRANS NPN 50V 3A LOW SAT TO92
参考包装数量:2000
参考包装形式:带盒(TB)

与PBSS4350S,126相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
PBSS4350SPN,115 NXP Semiconductors 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 2000 TRANS NPN/PNP W/RES 50V 8SOIC 晶体管类型:NPN,PNP 电流 - 集电极 (Ic)(最大):2.7A 电压 ...
PBSS4350SS,115 NXP Semiconductors 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 2000 TRANS ARR 2NPN 50V 2.7A 8SOIC 晶体管类型:2 NPN(双) 电流 - 集电极 (Ic)(最大):2.7A 电压...
PBSS4350T,215 NXP Semiconductors TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 3000 TRANS NPN 50V 2A SOT23 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)(最大):2A 电压 - 集电极发...
PBSS4350D,135 NXP Semiconductors SC-74,SOT-457 TRANS NPN 50V 3A 6TSOP 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)(最大):3A 电压 - 集电极发...
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PBSS4350D,115 NXP Semiconductors SC-74,SOT-457 9000 TRANS NPN 50V 3A 6TSOP 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)(最大):3A 电压 - 集电极发...

PBSS4350S,126参数资料

PDF资料下载:

晶体管类型:NPN
电流 - 集电极 (Ic)(最大):3A
电压 - 集电极发射极击穿(最大):50V
Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):290mV @ 200mA,2A
电流 - 集电极截止(最大):-
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):100 @ 2A,2V
功率 - 最大:830mW
频率 - 转换:100MHz
安装类型:通孔

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