| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
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NX1117C12Z,115 |
NXP Semiconductors | TO-261-4，TO-261AA | 2000 | 询价QQ： |
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| 简述：IC REG LDO 1.2V 1A SOT223-4 参考包装数量：1000 参考包装形式：带卷 (TR) |
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| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
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| NX1117C15Z,115 | NXP Semiconductors | TO-261-4，TO-261AA | IC REG LDO 1.5V 1A SOT223-4 | 稳压器拓扑：正，固定式 电压 - 输出：1.5V 电压 - 输入：最高 20V ... | |
| NX1117C18Z,115 | NXP Semiconductors | TO-261-4，TO-261AA | IC REG LDO 1.8V 1A SOT223-4 | 稳压器拓扑：正，固定式 电压 - 输出：1.8V 电压 - 输入：最高 20V ... | |
| NX1117C19Z,115 | NXP Semiconductors | TO-261-4，TO-261AA | 194 | IC REG LDO 1.9V 1A SOT-223 | 稳压器拓扑：正，固定式 电压 - 输出：1.9V 电压 - 输入：最高 20V ... |
| NX1117C120Z,115 | NXP Semiconductors | TO-261-4，TO-261AA | IC REG LDO 12V 1A SOT223-4 | 稳压器拓扑：正，固定式 电压 - 输出：12V 电压 - 输入：最高 20V 电... | |
| NX1029X,115 | NXP Semiconductors | SOT-563，SOT-666 | MOSFET DUAL N/P-CH SOT666 | FET 型：N 和 P 沟道 FET 特点：* 漏极至源极电压(Vdss)：60... | |
| NWW7JB220R | Stackpole Electronics Inc | 轴向 | RES 220 OHM 7W 5% WW | 电阻（欧姆）：220 功率（瓦特）：7W 复合体：绕线 特点：非电感，脉冲耐受 ... |
