收藏本站

首页 > 分离式半导体产品 > FET - 阵列 > NX1029X,115
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

NX1029X,115

NXP Semiconductors SOT-563,SOT-666
询价QQ:
简述:MOSFET DUAL N/P-CH SOT666
参考包装数量:4000
参考包装形式:带卷 (TR)

与NX1029X,115相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
NX1117C120Z,115 NXP Semiconductors TO-261-4,TO-261AA IC REG LDO 12V 1A SOT223-4 稳压器拓扑:正,固定式 电压 - 输出:12V 电压 - 输入:最高 20V 电...
NX1117C12Z,115 NXP Semiconductors TO-261-4,TO-261AA 2000 IC REG LDO 1.2V 1A SOT223-4 稳压器拓扑:正,固定式 电压 - 输出:1.2V 电压 - 输入:最高 20V ...
NX1117C15Z,115 NXP Semiconductors TO-261-4,TO-261AA IC REG LDO 1.5V 1A SOT223-4 稳压器拓扑:正,固定式 电压 - 输出:1.5V 电压 - 输入:最高 20V ...
NWW7JB220R Stackpole Electronics Inc 轴向 RES 220 OHM 7W 5% WW 电阻(欧姆):220 功率(瓦特):7W 复合体:绕线 特点:非电感,脉冲耐受 ...
NWW5JTR200 Stackpole Electronics Inc 轴向 RES .2 OHM 5W 5% WW 电阻(欧姆):0.2 功率(瓦特):5W 复合体:绕线 特点:非电感,脉冲耐受 ...
NWW5JT50R0 Stackpole Electronics Inc 轴向 RES 50 OHM 5W 5% WW 电阻(欧姆):50 功率(瓦特):5W 复合体:绕线 特点:非电感,脉冲耐受 温...

NX1029X,115参数资料

PDF资料下载:

FET 型:N 和 P 沟道
FET 特点:*
漏极至源极电压(Vdss):60V,50V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:410mA
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:-
Id 时的 Vgs(th)(最大):-
闸电荷(Qg) @ Vgs:-
输入电容 (Ciss) @ Vds:-
功率 - 最大:-
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别