| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
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NVD5863NLT4G |
ON Semiconductor | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 | 询价QQ： |
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| 简述：MOSFET N-CH 60V 14.9A DPAK-4 参考包装数量：2500 参考包装形式：带卷 (TR) |
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| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
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| NVD5865NLT4G | ON Semiconductor | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 | 0+2500 | MOSFET N CH 60V DPAK-4 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... |
| NVD5867NLT4G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 18A DPAK-4 | ... | ||
| NVD5890NT4G | ON Semiconductor | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 | MOSFET N-CH 40V 100A DPAK | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | |
| NVD5862NT4G | ON Semiconductor | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 | 0+2500 | MOSFET N-CH 60V 90A DPAK-4 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... |
| NVD5807NT4G | ON Semiconductor | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 | 0+10000 | MOSFET N-CH 40V 23A DPAK | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... |
| NVD5806NT4G | ON Semiconductor | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 | MOSFET N-CH 40V DPAK | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... |
