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NVD5806NT4G

ON Semiconductor TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
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简述:MOSFET N-CH 40V DPAK
参考包装数量:2500
参考包装形式:带卷 (TR)

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型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
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NVD5414NT4G ON Semiconductor TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 MOSFET N CH 60V 24A DPAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...

NVD5806NT4G参数资料


FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):40V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):33A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):19 毫欧 @ 15A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):38nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):860pF @ 25V
功率 - 最大值:40W
安装类型:表面贴装

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