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NTMD6P02R2G

ON Semiconductor 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 2480
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简述:MOSFET PWR P-CHAN DUAL 20V 8SOIC
参考包装数量:1
参考包装形式:剪切带 (CT)

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NTMD6P02R2G参数资料

PDF资料下载:

FET 型:2 个 P 沟道(双)
FET 特点:逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss):20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:4.8A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:33 毫欧 @ 6.2A,4.5V
Id 时的 Vgs(th)(最大):1.2V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs:35nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds:1700pF @ 16V
功率 - 最大:750mW
安装类型:表面贴装

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