收藏本站

首页 > 分离式半导体产品 > FET - 阵列 > NTMD6N04R2G
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

NTMD6N04R2G

ON Semiconductor 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH DUAL 40V 4.6A 8-SOIC
参考包装数量:2500
参考包装形式:带卷 (TR)

与NTMD6N04R2G相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
NTMD6P02R2G ON Semiconductor 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 2480 MOSFET PWR P-CHAN DUAL 20V 8SOIC FET 型:2 个 P 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V...
NTMD6P02R2SG ON Semiconductor 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET P-CHAN 7.8A 20V 8-SOIC FET 型:2 个 P 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V...
NT-MF261 Omron Electronics Inc-IA Div 0+14 NT31/631 2-BANK MEMORY MOD ...
NTMD6N03R2G ON Semiconductor 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET PWR N-CH DL 6A 30V 8SOIC FET 型:2 个 N 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V...
NTMD6N03R2 ON Semiconductor 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET PWR N-CH DL 6A 30V 8SOIC FET 型:2 个 N 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V...
NTMD6N02R2G ON Semiconductor 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET PWR N-CH DL 3.92A 20V 8SO FET 型:2 个 N 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V...

NTMD6N04R2G参数资料

PDF资料下载:

FET 型:2 个 N 沟道(双)
FET 特点:逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss):40V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:4.6A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:34 毫欧 @ 5.8A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大):3V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs:30nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds:900pF @ 32V
功率 - 最大:1.29W
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别