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NTLJD3115PT1G

ON Semiconductor 6-WDFN 裸露焊盘 1890
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简述:MOSFET P-CHAN DUAL 20V 6-WDFN
参考包装数量:1
参考包装形式:剪切带 (CT)

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型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
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NTLJD3115PT1G参数资料

PDF资料下载:

FET 型:2 个 P 沟道(双)
FET 特点:逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss):20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:2.3A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:100 毫欧 @ 2A,4.5V
Id 时的 Vgs(th)(最大):1V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs:6.2nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds:531pF @ 10V
功率 - 最大:710mW
安装类型:表面贴装

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