收藏本站

首页 > 分离式半导体产品 > FET - 阵列 > NTLJD2104PTAG
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

NTLJD2104PTAG

ON Semiconductor 6-WDFN 裸露焊盘
询价QQ:
简述:MOSFET P-CH DUAL 12V 4.3A 6WDFN
参考包装数量:3000
参考包装形式:带卷 (TR)

与NTLJD2104PTAG相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
NTLJD2104PTBG ON Semiconductor 6-WDFN 裸露焊盘 MOSFET P-CH DUAL 12V 4.3A 6WDFN FET 型:2 个 P 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V...
NTLJD2105LTBG ON Semiconductor 6-WDFN 裸露焊盘 MOSFET LOAD SW 8V 4.3A 6-WDFN FET 型:N 和 P 沟道 FET 特点:标准 漏极至源极电压(Vdss):8...
NTLJD3115PT1G ON Semiconductor 6-WDFN 裸露焊盘 1890 MOSFET P-CHAN DUAL 20V 6-WDFN FET 型:2 个 P 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V...
NTLGF3501NT2G ON Semiconductor 6-VDFN 裸露焊盘 MOSFET N-CH 20V 2.8A 6-DFN FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
NTLGF3501NT1G ON Semiconductor 6-VDFN 裸露焊盘 MOSFET N-CH 20V 2.8A 6-DFN FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
NTLGF3402PT2G ON Semiconductor 6-VDFN 裸露焊盘 MOSFET P-CH 20V 2.3A 6-DFN FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...

NTLJD2104PTAG参数资料

PDF资料下载:

FET 型:2 个 P 沟道(双)
FET 特点:逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss):12V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:2.4A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:90 毫欧 @ 3A,4.5V
Id 时的 Vgs(th)(最大):800mV @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs:8nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds:467pF @ 6V
功率 - 最大:700mW
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别