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首页 > 分离式半导体产品 > FET - 阵列 > NTJD4001NT1
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NTJD4001NT1

ON Semiconductor 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 闂傚倸鍊搁崐鎼佸磹閹间礁纾归柣鎴eГ閸婂潡鏌ㄩ弴妤€浜惧銈庝簻閸熸潙鐣疯ぐ鎺濇晪闁告侗鍨伴弫鎼佹⒒娓氣偓閳ь剛鍋涢懟顖涙櫠閹殿喚纾奸弶鍫涘妼濞搭喗顨ラ悙瀛樺磳妤犵偞甯掗埞鎴﹀醇濠靛洤鈧垶姊婚崒娆愮グ妞ゆ洘鐗犲畷褰掝敍閻愭潙鈧潡鏌ㄩ弬鍨挃闁活厼顦甸弻鐔兼倻濡崵鍘搁梺绋款儐閹瑰洭寮幇顓熷劅闁炽儴灏欓崙瑙勭節閻㈤潧浠滈柟鍐茬箻閹囨偐瀹割喗缍庨梺鎯х箺椤鐣锋径鎰厪濠电偛鐏濋崝婊堟煟濠靛嫬鐏叉慨濠冩そ閹兘寮堕幐搴敤闂備胶鎳撻崵鏍箯閿燂拷0755-83217923
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简述:MOSFET N-CHAN SS DUAL 30V SOT363
参考包装数量:3000
参考包装形式:带卷 (TR)

与NTJD4001NT1相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
NTJD4001NT1G ON Semiconductor 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 54000 MOSFET 2N-CH 30V 250MA SOT-363 FET 型:2 个 N 沟道(双) FET 特点:标准 漏极至源极电压(Vdss...
NTJD4001NT2G ON Semiconductor 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 MOSFET N-CH DUAL 30V SOT-363 FET 型:2 个 N 沟道(双) FET 特点:标准 漏极至源极电压(Vdss...
NTJD4105CT1G ON Semiconductor 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 69000 MOSFET N/P 20V/8V 630MA SOT-363 FET 型:N 和 P 沟道 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss...
NTJD3158CT2G ON Semiconductor 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 MOSFET COMP N/P 20V SC88-6 FET 型:N 和 P 沟道 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss...
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NTJD2152PT4 ON Semiconductor 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 MOSFET P-CH 8V DUAL ESD SOT-363 FET 型:2 个 P 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V...

NTJD4001NT1参数资料

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FET 型:2 个 N 沟道(双)
FET 特点:标准
漏极至源极电压(Vdss):30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:250mA
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:1.5 欧姆 @ 10mA,4V
Id 时的 Vgs(th)(最大):1.5V @ 100µA
闸电荷(Qg) @ Vgs:1.3nC @ 5V
输入电容 (Ciss) @ Vds:33pF @ 5V
功率 - 最大:272mW
安装类型:表面贴装

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