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NTJD2152PT4G

ON Semiconductor 6-TSSOP,SC-88,SOT-363
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简述:MOSFET P-CH 8V DUAL ESD SOT-363
参考包装数量:10000
参考包装形式:带卷 (TR)

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型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
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NTJD2152PT4G参数资料

PDF资料下载:

FET 型:2 个 P 沟道(双)
FET 特点:逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss):8V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:775mA
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:300 毫欧 @ 570mA,4.5V
Id 时的 Vgs(th)(最大):1V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs:4nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds:225pF @ 8V
功率 - 最大:270mW
安装类型:表面贴装

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