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NTHD2102PT1G

ON Semiconductor 8-SMD,扁平引线
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简述:MOSFET PWR P-CH DUAL 8V CHIPFET
参考包装数量:3000
参考包装形式:带卷 (TR)

与NTHD2102PT1G相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
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NTHD2102PT1G参数资料

PDF资料下载:

FET 型:2 个 P 沟道(双)
FET 特点:逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss):8V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:3.4A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:58 毫欧 @ 3.4A,4.5V
Id 时的 Vgs(th)(最大):1.5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs:16nC @ 2.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds:715pF @ 6.4V
功率 - 最大:1.1W
安装类型:表面贴装

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