收藏本站

首页 > 分离式半导体产品 > FET - 阵列 > NTHC5513T1G
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

NTHC5513T1G

ON Semiconductor 8-SMD,扁平引线
询价QQ:
简述:MOSF N/P-CH 20V 2.9A/2.2A 1206A
参考包装数量:3000
参考包装形式:带卷 (TR)

与NTHC5513T1G相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
NTHD2102PT1 ON Semiconductor 8-SMD,扁平引线 MOSFET 2P-CH 8V 3.4A CHIPFET FET 型:2 个 P 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V...
NTHD2102PT1G ON Semiconductor 8-SMD,扁平引线 MOSFET PWR P-CH DUAL 8V CHIPFET FET 型:2 个 P 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V...
NTHD2110TT1G ON Semiconductor 8-SMD,扁平引线 MOSFET P-CH 12V 4.5A CHIPFET FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
NTHC5513T1 ON Semiconductor 8-SMD,扁平引线 MOSFET N/P-CH 20V 2.1A CHIPFET FET 型:N 和 P 沟道 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss...
NTH1212MC Murata Power Solutions Inc 26-DIP SMD 模块(12 引线) 96 CONV DC/DC 2W 12VIN 12V DUAL 1KV 类型:隔离 输出数:2 电压 - 输入(最小):10.8V 电压 - 输入(最大...
NTH1205MC Murata Power Solutions Inc 26-DIP SMD 模块(12 引线) 3 CONV DC/DC 2W 12VIN 5V DUAL 1KV 类型:隔离 输出数:2 电压 - 输入(最小):10.8V 电压 - 输入(最大...

NTHC5513T1G参数资料

PDF资料下载:

FET 型:N 和 P 沟道
FET 特点:逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss):20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:2.9A,2.2A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:80 毫欧 @ 2.9A,4.5V
Id 时的 Vgs(th)(最大):1.2V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs:4nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds:180pF @ 10V
功率 - 最大:1.1W
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别