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首页 > 分离式半导体产品 > 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式 > NSTB1003DXV5T1G
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NSTB1003DXV5T1G

ON Semiconductor SOT-553
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简述:TRANSISTOR BRT NPN/PNP SOT-553
参考包装数量:4000
参考包装形式:带卷 (TR)

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型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
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NSTB1003DXV5T1G参数资料


晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
电流 - 集电极 (Ic)(最大):-
电压 - 集电极发射极击穿(最大):-
电阻器 - 基极 (R1)(欧):-
电阻器 - 发射极 (R2)(欧):-
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):-
Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):-
电流 - 集电极截止(最大):-
频率 - 转换:-
功率 - 最大:-
安装类型:表面贴装

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