收藏本站

首页 > 分离式半导体产品 > 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式 > NSTB1002DXV5T1
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

NSTB1002DXV5T1

ON Semiconductor SOT-553
询价QQ:
简述:TRANSISTOR BRT NPN/PNP SOT-553
参考包装数量:4000
参考包装形式:带卷 (TR)

与NSTB1002DXV5T1相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
NSTB1002DXV5T1G ON Semiconductor SOT-553 0+188000 TRANSISTOR BRT NPN/PNP SOT-553 晶体管类型:1 NPN 预偏压式,1 PNP 电流 - 集电极 (Ic)(最大)...
NSTB1003DXV5T1G ON Semiconductor SOT-553 TRANSISTOR BRT NPN/PNP SOT-553 晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) 电流 - 集电极...
NSTB1004DXV5T1G ON Semiconductor SOT-553 TRANSISTOR BRT NPN/PNP SOT-553 晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) 电流 - 集电极...
NST857BF3T5G ON Semiconductor SOT-1123 0+208000 TRANSISTOR PNP GP SOT-1123 晶体管类型:PNP 电流 - 集电极 (Ic)(最大):100mA 电压 - 集...
NST857BDP6T5G ON Semiconductor SOT-963 TRANSISTOR PNP DUAL GP SOT-963 晶体管类型:2 PNP(双) 电流 - 集电极 (Ic)(最大):100mA 电...
NST856BF3T5G ON Semiconductor SOT-1123 TRANSISTOR GP PNP 65V SOT-1123 晶体管类型:PNP 电流 - 集电极 (Ic)(最大):100mA 电压 - 集...

NSTB1002DXV5T1参数资料


晶体管类型:1 NPN 预偏压式,1 PNP
电流 - 集电极 (Ic)(最大):100mA,200mA
电压 - 集电极发射极击穿(最大):50V,40V
电阻器 - 基极 (R1)(欧):47k
电阻器 - 发射极 (R2)(欧):47k
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):80 @ 5mA,10V / 100 @ 1mA,10V
Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):250mV @ 300µA,10mA / 400mV @ 5mA,50mA
电流 - 集电极截止(最大):500nA
频率 - 转换:250MHz
功率 - 最大:500mW
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别