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NST3904F3T5G

ON Semiconductor SOT-1123 56946
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简述:TRANSISTOR NPN 40V 0.2A SOT1123
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与NST3904F3T5G相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
NST3906DP6T5G ON Semiconductor SOT-963 0+192000 TRANSISTOR PNP DUAL GP SOT-963 晶体管类型:2 PNP(双) 电流 - 集电极 (Ic)(最大):200mA 电...
NST3906DXV6T1 ON Semiconductor SOT-563,SOT-666 TRANS PNP DUAL 200MA 40V SOT563 晶体管类型:2 PNP(双) 电流 - 集电极 (Ic)(最大):200mA 电...
NST3906DXV6T1G ON Semiconductor SOT-563,SOT-666 TRANS PNP DUAL 200MA 40V SOT563 晶体管类型:2 PNP(双) 电流 - 集电极 (Ic)(最大):200mA 电...
NST3904DXV6T5G ON Semiconductor SOT-563,SOT-666 TRANS NPN DUAL 200MA 40V SOT563 晶体管类型:2 NPN(双) 电流 - 集电极 (Ic)(最大):200mA 电...
NST3904DXV6T5 ON Semiconductor SOT-563,SOT-666 TRANS NPN DUAL 200MA 40V SOT563 晶体管类型:2 NPN(双) 电流 - 集电极 (Ic)(最大):200mA 电...
NST3904DXV6T1G ON Semiconductor SOT-563,SOT-666 8000 TRANSISTOR NPN 200MA 40V SOT-563 晶体管类型:2 NPN(双) 电流 - 集电极 (Ic)(最大):200mA 电...

NST3904F3T5G参数资料

PDF资料下载:

晶体管类型:NPN
电流 - 集电极 (Ic)(最大):200mA
电压 - 集电极发射极击穿(最大):40V
Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):300mV @ 5mA,50mA
电流 - 集电极截止(最大):-
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):100 @ 10mA,1V
功率 - 最大:290mW
频率 - 转换:200MHz
安装类型:表面贴装

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