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首页 > 分离式半导体产品 > 晶体管(BJT) - 阵列 > NST3904DXV6T1G
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NST3904DXV6T1G

ON Semiconductor SOT-563,SOT-666 8000
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简述:TRANSISTOR NPN 200MA 40V SOT-563
参考包装数量:4000
参考包装形式:带卷 (TR)

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型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
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NST3904DXV6T1G参数资料

PDF资料下载:

晶体管类型:2 NPN(双)
电流 - 集电极 (Ic)(最大):200mA
电压 - 集电极发射极击穿(最大):40V
Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):300mV @ 5mA,50mA
电流 - 集电极截止(最大):-
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):100 @ 10mA,1V
功率 - 最大:500mW
频率 - 转换:300MHz
安装类型:表面贴装

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