收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > NP82N06PDG-E1-AY
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

NP82N06PDG-E1-AY

Renesas Electronics America TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 60V 82A TO-263
参考包装数量:800
参考包装形式:带卷 (TR)

与NP82N06PDG-E1-AY相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
NP83P04PDG-E1-AY Renesas Electronics America TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB 800 MOSFET P-CH -40V 83A TO-263 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
NP83P06PDG-E1-AY Renesas Electronics America TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET P-CH -60V 83A TO-263 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
N-P84 OKI/Metcal NOZZLE N-P84 ...
NP82N06NLG-S18-AY Renesas Electronics America TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA MOSFET N-CH 60V 82A TO-262 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
NP82N06MLG-S18-AY Renesas Electronics America TO-220-3 830 MOSFET N-CH TO-220 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
NP82N055PUG-E1-AY Renesas Electronics America TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB 800 MOSFET N-CH 55V 82A TO-263 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...

NP82N06PDG-E1-AY参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):60V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):82A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):6.7 毫欧 @ 41A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):106nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):5700pF @ 25V
功率 - 最大值:1.8W
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别