| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
|---|---|---|---|---|---|
NP82N06NLG-S18-AY |
Renesas Electronics America | TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA | 询价QQ： |
||
| 简述：MOSFET N-CH 60V 82A TO-262 参考包装数量：50 参考包装形式：管件 |
|||||
| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
|---|---|---|---|---|---|
| NP82N06PDG-E1-AY | Renesas Electronics America | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB | MOSFET N-CH 60V 82A TO-263 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | |
| NP83P04PDG-E1-AY | Renesas Electronics America | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB | 800 | MOSFET P-CH -40V 83A TO-263 | FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... |
| NP83P06PDG-E1-AY | Renesas Electronics America | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB | MOSFET P-CH -60V 83A TO-263 | FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | |
| NP82N06MLG-S18-AY | Renesas Electronics America | TO-220-3 | 830 | MOSFET N-CH TO-220 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... |
| NP82N055PUG-E1-AY | Renesas Electronics America | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB | 800 | MOSFET N-CH 55V 82A TO-263 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... |
| NP82N055NUG-S18-AY | Renesas Electronics America | TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA | MOSFET N-CH 55V 82A TO-262 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... |
