收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > NP36P04SDG-E1-AY
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

NP36P04SDG-E1-AY

Renesas Electronics America TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 2712
询价QQ:
简述:MOSFET P-CH -40V -36A TO-252
参考包装数量:1
参考包装形式:

与NP36P04SDG-E1-AY相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
NP36P06KDG-E1-AY Renesas Electronics America TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB 800 MOSFET P-CH -60V -36A TO-263 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
NP36P06SLG-E1-AY Renesas Electronics America TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 MOSFET P-CH -60V -36A TO-252 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
NP3-MQ000B Omron Electronics Inc-IA Div NP HMI 3.8 IN MONO 3KEYS BLACK ...
NP36P04KDG-E1-AY Renesas Electronics America TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET P-CH -40V -36A TO-263 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
NP36N055SLE-E1-AY Renesas Electronics America TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 MOSFET N-CH 55V 36A TO-252 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
NP36N055SHE-E1-AY Renesas Electronics America TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 MOSFET N-CH 55V 36A TO252 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...

NP36P04SDG-E1-AY参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):40V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):36A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):17 毫欧 @ 18A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):55nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):2800pF @ 10V
功率 - 最大值:1.2W
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别