| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
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NP36P04KDG-E1-AY |
Renesas Electronics America | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB | 询价QQ： |
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| 简述：MOSFET P-CH -40V -36A TO-263 参考包装数量：800 参考包装形式：带卷 (TR) |
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| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
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| NP36P04SDG-E1-AY | Renesas Electronics America | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 | 2712 | MOSFET P-CH -40V -36A TO-252 | FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... |
| NP36P06KDG-E1-AY | Renesas Electronics America | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB | 800 | MOSFET P-CH -60V -36A TO-263 | FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... |
| NP36P06SLG-E1-AY | Renesas Electronics America | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 | MOSFET P-CH -60V -36A TO-252 | FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | |
| NP36N055SLE-E1-AY | Renesas Electronics America | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 | MOSFET N-CH 55V 36A TO-252 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | |
| NP36N055SHE-E1-AY | Renesas Electronics America | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 | MOSFET N-CH 55V 36A TO252 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | |
| NP35N04YUG-E1-AY | Renesas Electronics America | 8-SMD，扁平引线裸焊盘 | 2500 | MOSFET N-CH 40V 35A 8HSON | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... |
