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NP33N06YDG-E1-AY

Renesas Electronics America 8-SMD,扁平引线裸焊盘
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简述:MOSFET N-CH 60V 33A 8HSON
参考包装数量:2500
参考包装形式:带卷 (TR)

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型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
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NP33N06YDG-E1-AY参数资料


FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):60V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):33A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):14 毫欧 @ 16.5A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):78nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):3900pF @ 25V
功率 - 最大值:1W
安装类型:表面贴装

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