| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
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NP32N055SLE-E1-AY |
Renesas Electronics America | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 | 询价QQ： |
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| 简述：MOSFET N-CH 55V 32A TO-252 参考包装数量：2500 参考包装形式：带卷 (TR) |
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| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
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| NP33N06YDG-E1-AY | Renesas Electronics America | 8-SMD，扁平引线裸焊盘 | MOSFET N-CH 60V 33A 8HSON | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | |
| NP34N055SHE-E1-AY | Renesas Electronics America | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 | MOSFET N-CH 55V 34A TO-252 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... | |
| NP34N055SLE-E1-AY | Renesas Electronics America | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 | MOSFET N-CH 55V 34A TO-252 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | |
| NP32N055SHE-E1-AY | Renesas Electronics America | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 | MOSFET N-CH 55V 32A TO-252 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | |
| NP32N055SDE-E1-AY | Renesas Electronics America | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 | MOSFET N-CH 55V 32A TO-252 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | |
| NP3100SEMCT3G | ON Semiconductor | DO-214AA，SMB | IC TSPD SURGE DEVICE SMB | 电压 - 击穿：350V 电压 - 断路：275V 电压 - 导通状态：- 电流... |
