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NP109N04PUJ-E1B-AY

Renesas Electronics America TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
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简述:MOSFET N-CH 40V MP-25ZP/TO-263
参考包装数量:1000
参考包装形式:带卷 (TR)

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型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
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NP1100SAMCT3G ON Semiconductor DO-214AA,SMB IC TSPD SURGE DEVICE 50A SMB 电压 - 击穿:130V 电压 - 断路:90V 电压 - 导通状态:4V 电流...
NP1100SAT3G ON Semiconductor DO-214AA,SMB IC THY SURGE PROTECTOR 110V SMB 电压 - 击穿:130V 电压 - 断路:90V 电压 - 导通状态:4V 电流...
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NP100P06PDG-E1-AY Renesas Electronics America TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET P-CH -60V MP-25ZP/TO-263 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
NP100P04PLG-E1-AY Renesas Electronics America TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB 800 MOSFET P-CH -40V MP-25ZP/TO-263 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...

NP109N04PUJ-E1B-AY参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):40V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):110A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):2.3 毫欧 @ 55A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):180nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):10350pF @ 25V
功率 - 最大值:1.8W
安装类型:表面贴装

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