| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
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NP100P06PLG-E1-AY |
Renesas Electronics America | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB | 询价QQ： |
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| 简述：MOSFET P-CH -60V MP-25ZP/TO-263 参考包装数量：800 参考包装形式：带卷 (TR) |
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| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
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| NP109N04PUJ-E1B-AY | Renesas Electronics America | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB | MOSFET N-CH 40V MP-25ZP/TO-263 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | |
| NP109N055PUJ-E1B-AY | Renesas Electronics America | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB | MOSFET N-CH 55V MP-25ZP/TO-263 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | |
| NP1100SAMCT3G | ON Semiconductor | DO-214AA，SMB | IC TSPD SURGE DEVICE 50A SMB | 电压 - 击穿：130V 电压 - 断路：90V 电压 - 导通状态：4V 电流... | |
| NP100P06PDG-E1-AY | Renesas Electronics America | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB | MOSFET P-CH -60V MP-25ZP/TO-263 | FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | |
| NP100P04PLG-E1-AY | Renesas Electronics America | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB | 800 | MOSFET P-CH -40V MP-25ZP/TO-263 | FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... |
| NP100P04PDG-E1-AY | Renesas Electronics America | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB | MOSFET P-CH -40V MP-25ZP/TO-263 | FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... |
