收藏本站

首页 > 分离式半导体产品 > IGBT - 单路 > NGTB25N120IHLWG
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

NGTB25N120IHLWG

ON Semiconductor TO-247-3
询价QQ:
简述:IGBT 1200V 25A FS1 TO-247-3
参考包装数量:30
参考包装形式:管件

与NGTB25N120IHLWG相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
NGTB25N120LWG ON Semiconductor TO-247-3 10 IGBT 1200V 25A LPT TO-247-3 IGBT 类型:沟道和场截止 电压 - 集电极发射极击穿(最大):1200V V...
NGTG15N60S1EG ON Semiconductor TO-220-3 IGBT 15A 600V TO-220-3 IGBT 类型:NPT 电压 - 集电极发射极击穿(最大):600V Vge, ...
NH0056K930FC02 Vishay Dale 轴向,盒 RES WW 5W 6.93K 1% 电阻(欧姆):6.93k 功率(瓦特):5W 复合体:绕线 特点:非电感 温度系...
NGTB20N120LWG ON Semiconductor TO-247-3 20 IGBT 1200V 20A FS1 TO-247-3 IGBT 类型:沟道和场截止 电压 - 集电极发射极击穿(最大):1200V V...
NGTB20N120IHLWG ON Semiconductor TO-247-3 255+74610 IGBT 1200V 20A FS1 TO-247-3 IGBT 类型:- 电压 - 集电极发射极击穿(最大):1200V Vge, I...
NGTB15N60S1EG ON Semiconductor TO-220-3 IGBT 15A 600V TO-220-3 IGBT 类型:NPT 电压 - 集电极发射极击穿(最大):600V Vge, ...

NGTB25N120IHLWG参数资料

PDF资料下载:

IGBT 类型:-
电压 - 集电极发射极击穿(最大):1200V
Vge, Ic时的最大Vce(开):2.3V @ 15V,25A
电流 - 集电极 (Ic)(最大):50A
功率 - 最大:192W
输入类型:标准
安装类型:通孔

最近更新

型号类别