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首页 > 分离式半导体产品 > RF 晶体管 (BJT) > NE681M03-A
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NE681M03-A

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简述:TRANSISTOR NPN 1GHZ M03
参考包装数量:1
参考包装形式:散装

与NE681M03-A相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
NE681M03-T1-A CEL 3-XSOF,迷你型模塑 TRANSISTOR NPN 1GHZ M03 晶体管类型:NPN 电压 - 集电极发射极击穿(最大):10V 频率 - 转换:...
NE681M13-A CEL SOT-3 TRANSISTOR NPN 1GHZ M13 晶体管类型:NPN 电压 - 集电极发射极击穿(最大):10V 频率 - 转换:...
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NE68139-T1-A CEL TO-253-4,TO-253AA 3000 TRANSISTOR NPN 1GHZ SOT-143 晶体管类型:NPN 电压 - 集电极发射极击穿(最大):10V 频率 - 转换:...
NE68139-T1 CEL TO-253-4,TO-253AA TRANS NPN 1GHZ SOT-143 晶体管类型:NPN 电压 - 集电极发射极击穿(最大):10V 频率 - 转换:...
NE68139R-T1-A CEL SOT-143R TRANSISTOR NPN 1GHZ SOT-143R 晶体管类型:NPN 电压 - 集电极发射极击穿(最大):10V 频率 - 转换:...

NE681M03-A参数资料

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晶体管类型:NPN
电压 - 集电极发射极击穿(最大):10V
频率 - 转换:7GHz
噪声系数(dB典型值@频率):1.4dB ~ 2.7dB @ 1GHz
增益:-
功率 - 最大:125mW
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):80 @ 7mA,3V
电流 - 集电极 (Ic)(最大):65mA
安装类型:表面贴装

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