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首页 > 分离式半导体产品 > RF 晶体管 (BJT) > NE68139R-T1-A
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NE68139R-T1-A

CEL SOT-143R 闂傚倸鍊烽悞锕€顪冮崹顕呯唵闁逞屽墰缁辨帡骞撻幒婵堝悑闂佽鍨悞锔剧矉閹烘柡鍋撻敐搴′簼婵炲懏鐗犲铏规崉閵娿儲鐝㈤梺鐟板殩閹凤拷0755-83217923
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简述:TRANSISTOR NPN 1GHZ SOT-143R
参考包装数量:3000
参考包装形式:带卷 (TR)

与NE68139R-T1-A相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
NE68139-T1 CEL TO-253-4,TO-253AA TRANS NPN 1GHZ SOT-143 晶体管类型:NPN 电压 - 集电极发射极击穿(最大):10V 频率 - 转换:...
NE68139-T1-A CEL TO-253-4,TO-253AA 3000 TRANSISTOR NPN 1GHZ SOT-143 晶体管类型:NPN 电压 - 集电极发射极击穿(最大):10V 频率 - 转换:...
NE681M03-A CEL 3-XSOF,迷你型模塑 TRANSISTOR NPN 1GHZ M03 晶体管类型:NPN 电压 - 集电极发射极击穿(最大):10V 频率 - 转换:...
NE68139R-T1 CEL SOT-143R 3000 TRANS NPN 1GHZ SOT-143R 晶体管类型:NPN 电压 - 集电极发射极击穿(最大):10V 频率 - 转换:...
NE68139-A CEL TO-253-4,TO-253AA TRANSISTOR NPN 1GHZ SOT-143 晶体管类型:NPN 电压 - 集电极发射极击穿(最大):10V 频率 - 转换:...
NE68133-T1B-R35-A CEL TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 TRANSISTOR NPN 9GHZ SOT-23 晶体管类型:NPN 电压 - 集电极发射极击穿(最大):10V 频率 - 转换:...

NE68139R-T1-A参数资料

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晶体管类型:NPN
电压 - 集电极发射极击穿(最大):10V
频率 - 转换:9GHz
噪声系数(dB典型值@频率):1.2dB ~ 2dB @ 1GHz
增益:13.5dB
功率 - 最大:200mW
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):50 @ 7mA,3V
电流 - 集电极 (Ic)(最大):65mA
安装类型:表面贴装

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