收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > MVMBF0201NLT1G
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

MVMBF0201NLT1G

ON Semiconductor TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 0+6000
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 20V 300MA SOT-23-3
参考包装数量:3000
参考包装形式:带卷 (TR)

与MVMBF0201NLT1G相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
MVP32K175TX Switchcraft Inc. CONN PATCHBAY MID DL ROW 32 JACK ...
MVP32K1N75TX Switchcraft Inc. CONN PATCHBAY MID DL ROW 32 JACK ...
MVP32K1NNTX Switchcraft Inc. CONN PATCHBAY MID DL ROW 32 JACK ...
MVM5JB820R Stackpole Electronics Inc 径向 RES 820 OHM 5W 5% CERAMIC VERT 电阻(欧姆):820 功率(瓦特):5W 复合体:金属氧化物薄膜 特点:耐燃 温...
MVM5JB75K0 Stackpole Electronics Inc 径向 RES 75K OHM 5W 5% CERAMIC VERT 电阻(欧姆):75k 功率(瓦特):5W 复合体:金属氧化物薄膜 特点:耐燃 温...
MVM5JB4K30 Stackpole Electronics Inc 径向 RES 4.3K OHM 5W 5% CERAMIC VERT 电阻(欧姆):4.3k 功率(瓦特):5W 复合体:金属氧化物薄膜 特点:耐燃 ...

MVMBF0201NLT1G参数资料


FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):20V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):300A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):1 欧姆 @ 300mA,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):-
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):45pF @ 5V
功率 - 最大值:225mW
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别