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MSB709-RT1

ON Semiconductor TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
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简述:TRANS GP PNP -45V SC59
参考包装数量:3000
参考包装形式:带卷 (TR)

与MSB709-RT1相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
MSB709-RT1G ON Semiconductor TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 TRANS GP PNP -45V SC59 晶体管类型:PNP 电流 - 集电极 (Ic)(最大):100mA 电压 - 集...
MSB710-RT1 ON Semiconductor TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 TRANS PNP GP BIPO 50V SC-59 晶体管类型:PNP 电流 - 集电极 (Ic)(最大):500mA 电压 - 集...
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MSB709-RT1参数资料

PDF资料下载:

晶体管类型:PNP
电流 - 集电极 (Ic)(最大):100mA
电压 - 集电极发射极击穿(最大):45V
Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):500mV @ 10mA,100mA
电流 - 集电极截止(最大):100nA
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):210 @ 2mA,10V
功率 - 最大:200mW
频率 - 转换:-
安装类型:表面贴装

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