收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > 晶体管(BJT) - 单路 > MSB709-RT1G
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

MSB709-RT1G

ON Semiconductor TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
询价QQ:
简述:TRANS GP PNP -45V SC59
参考包装数量:3000
参考包装形式:带卷 (TR)

与MSB709-RT1G相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
MSB710-RT1 ON Semiconductor TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 TRANS PNP GP BIPO 50V SC-59 晶体管类型:PNP 电流 - 集电极 (Ic)(最大):500mA 电压 - 集...
MSB710-RT1G ON Semiconductor TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 TRANS PNP GP BIPO 50V SC-59 晶体管类型:PNP 电流 - 集电极 (Ic)(最大):500mA 电压 - 集...
MSB92AS1WT1G ON Semiconductor SC-70,SOT-323 TRANS PNP BIPO HV 300V SC-70-3 晶体管类型:PNP 电流 - 集电极 (Ic)(最大):500mA 电压 - 集...
MSB709-RT1 ON Semiconductor TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 TRANS GP PNP -45V SC59 晶体管类型:PNP 电流 - 集电极 (Ic)(最大):100mA 电压 - 集...
MSB625-CS Panduit Corp BUCKLE FOR 0.63" STRAP ...
MSB500-CS Panduit Corp BUCKLE FOR 0.50" STRAP ...

MSB709-RT1G参数资料

PDF资料下载:

晶体管类型:PNP
电流 - 集电极 (Ic)(最大):100mA
电压 - 集电极发射极击穿(最大):45V
Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):500mV @ 10mA,100mA
电流 - 集电极截止(最大):100nA
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):210 @ 2mA,10V
功率 - 最大:200mW
频率 - 转换:-
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别