收藏本站

首页 > 分离式半导体产品 > FET - 阵列 > MP6K13TCR
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

MP6K13TCR

Rohm Semiconductor 6-SMD,扁平引线 2000
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH+N-CH 4V DUAL MPT6
参考包装数量:1000
参考包装形式:带卷 (TR)

与MP6K13TCR相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
MP6K14TCR Rohm Semiconductor 6-SMD,扁平引线 2000 MOSFET N-CH+N-CH 4V DUAL MPT6 FET 型:2 个 N 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V...
MP6K31TCR Rohm Semiconductor MOSFET N-CH+N-CH 4V DUAL MPT6 ...
MP6K31TR Rohm Semiconductor 6-SMD,扁平引线 1000 MOSFET N-CH DUAL 60V 2A MPT6 FET 型:2 个 N 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V...
MP6K12TCR Rohm Semiconductor 6-SMD,扁平引线 MOSFET N-CH+N-CH 4V DUAL MPT6 FET 型:2 个 N 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V...
MP6K11TCR Rohm Semiconductor 6-SMD,扁平引线 1000 MOSFET N-CH+N-CH 4V DUAL MPT6 FET 型:2 个 N 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V...
MP-699254-5-8A TE Connectivity LABEL METAL POLY 69.9X25.4MM ...

MP6K13TCR参数资料

PDF资料下载:

FET 型:2 个 N 通道(半桥)
FET 特点:逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss):30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:6A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:22 毫欧 @ 6A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大):2.5V @ 1mA
闸电荷(Qg) @ Vgs:5nC @ 5V
输入电容 (Ciss) @ Vds:350pF @ 10V
功率 - 最大:2W
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别