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MMFT2N02ELT1

ON Semiconductor TO-261-4,TO-261AA
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简述:MOSFET N-CH 20V 1.6A SOT223
参考包装数量:10
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与MMFT2N02ELT1相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
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MMFT2N02ELT1参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):20V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):1.6A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):150 毫欧 @ 800mA,5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):20nC @ 5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):580pF @ 15V
功率 - 最大值:800mW
安装类型:表面贴装

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